کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8161046 | 1525114 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Breakdown voltage mapping through voltage dependent ReBEL intensity imaging of multi-crystalline Si solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Device material quality affects both the efficiency and the longevity of photovoltaic (PV) cells. Therefore, identifying these defects can be beneficial in the development of more efficient and longer lasting PV cells. In this study, a combination of spatially-resolved, electroluminescence (EL), and light beam induced current (LBIC) measurements, were used to identify specific defects and features of a multi-crystalline Si PV cells. In this study, a novel approach is used to map the breakdown voltage of a PV cell through voltage dependent Reverse Bias EL (ReBEL) intensity imaging.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 535, 15 April 2018, Pages 63-66
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 535, 15 April 2018, Pages 63-66
نویسندگان
RM. Dix-Peek, EE. van Dyk, FJ. Vorster, CJ. Pretorius,