کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8161581 | 1525119 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature absorption edge and photoluminescence study in TlIn(Se1âxSx)2 layered mixed crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low temperature absorption edge and photoluminescence study in TlIn(Se1âxSx)2 layered mixed crystals Low temperature absorption edge and photoluminescence study in TlIn(Se1âxSx)2 layered mixed crystals](/preview/png/8161581.png)
چکیده انگلیسی
Photoluminescence spectra of TlIn(Se1âxSx)2 mixed crystals were studied in the wavelength region of 400-620 nm at T = 10 K. The observed bands were attributed to the transitions of electrons from shallow donor levels to the valence band. The shift of the PL bands to higher energies with elevating sulfur content was revealed. Moreover, the composition ratio of the mixed crystals was obtained from the energy dispersive spectroscopy measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 530, 1 February 2018, Pages 82-85
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 530, 1 February 2018, Pages 82-85
نویسندگان
N.M. Gasanly,