کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8163084 | 1525219 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Acoustic-phonon-assisted quantum control of qubit states near the Si/SiO2 interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The waiting time between load/initialization and readout of electron spin qubit is related to electron tunneling between the donor and Si/SiO2 interface. Impacts of energy valley interference in silicon, lattice temperature, and screening of metallic gate on the waiting time associated with acoustic-phonon-assisted electron tunneling have been investigated. The results show that interface valley-orbit coupling causes its oscillation with donor depth and the influence of gate screening is significant when the SiO2 thickness is smaller than 10Â nm. Moreover, the influences of these factors are strongest at critical electric field.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 427, 15 October 2013, Pages 5-11
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 427, 15 October 2013, Pages 5-11
نویسندگان
Bing-Ping Gou, Peiji Zhao, Xiao-Jun Kong,