کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8163821 | 1525233 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
First-principles study of point defects in solar cell semiconductor CuI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hybrid density functional theory is used to study the formation energies and transition levels of point defects VCu, VI, ICu, CuI, and OI in CuI. It is shown that the Heyd-Scuseria-Ernzerhof (HSE06) method can accurately describe the band gap of bulk CuI. As a solar cell material, we find that p-type semiconductor CuI can be obtained under the iodine-rich and copper-poor conditions. Our results are in good agreement with experiment and provide an excellent account for tuning the structural and electronic properties of CuI.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 413, 15 March 2013, Pages 116-119
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 413, 15 March 2013, Pages 116-119
نویسندگان
Hui Chen, Chong-Yu Wang, Jian-Tao Wang, Ying Wu, Shao-Xiong Zhou,