کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8178241 | 1526391 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of temperature and charged particle fluence on the resistivity of polycrystalline CVD diamond sensors
ترجمه فارسی عنوان
اثر دما و فلوئورسنت ذرات باردار بر مقاومت الکتریکی سنسورهای الماس پلی کریستالی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
چکیده انگلیسی
The resistivity of polycrystalline chemical vapor deposition diamond sensors is studied in samples exposed to fluences relevant to the environment of the High Luminosity Large Hadron Collider. We measure the leakage current for a range of bias voltages on samples irradiated with 800 MeV protons up to 1.6Ã1016 p/cm2. The proton beam at LANSCE, Los Alamos National Laboratory, was applied to irradiate the samples. The devices' resistivity is extracted for temperatures in the â10 °C to +20 °C range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 735, 21 January 2014, Pages 610-614
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 735, 21 January 2014, Pages 610-614
نویسندگان
Rui Wang, Martin Hoeferkamp, Sally Seidel,