کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
849908 | 909275 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Si doping on optical and thermal properties of MOVPE GaN thin layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of Si doping on optical and thermal properties of MOVPE GaN thin layers Effect of Si doping on optical and thermal properties of MOVPE GaN thin layers](/preview/png/849908.png)
چکیده انگلیسی
Photothermal deflection spectroscopy is used to investigate thermal and optical properties of MOVPE grown GaN thin layers deposited on sapphire substrate. The effects of Si doping on absorption spectrum and gap energy are revealed. Also, doping-induced free carrier absorption is extracted from absorption in the sub-gap region. Moreover, the variations of photothermal signal versus modulation frequency are used to determine thermal properties of these films. The measured thermal conductivity is clearly decreased by Si doping, the main reason should be the phonon scattering on point defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 124, Issue 23, December 2013, Pages 6190–6193
Journal: Optik - International Journal for Light and Electron Optics - Volume 124, Issue 23, December 2013, Pages 6190–6193
نویسندگان
Faycel Saadallah, Zohra Benzarti, Ibrahim Halidou, Noureddine Yacoubi, Belgacem El Jani,