کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567254 | 1503711 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of the Mo thin films and Mo/CIGS interface properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
After co-evaporation of a Cu(In1âxGax)Se2 film the chemical and electrical properties of the Cu(In1âxGax)Se2/Mo interface have been studied. It is shown, by XPS depth profile, that MoSe2 is present at the interface. The contact resistivity Ïc has been measured. Resistivities Ïc < 0.08 Ω cm2 were found. From these XPS and electrical measurements it appears that the MoSe2 interfacial layer mediates low resistivity Mo/CIGS contact.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 246, Issues 1â3, 15 June 2005, Pages 159-166
Journal: Applied Surface Science - Volume 246, Issues 1â3, 15 June 2005, Pages 159-166
نویسندگان
L. Assmann, J.C. Bernède, A. Drici, C. Amory, E. Halgand, M. Morsli,