کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567306 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface structure and electronic states of sulfur-treated InP(1Â 1Â 1)A studied by LEED, AES, STM, and IPES
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
73.20.At68.35.Bs68.35.−p - 68.35.-p73.20.−r - 73.20.-rSurface relaxation and reconstruction - آرامسازی و بازسازی سطحAuger electron spectroscopy - طیف سنج الکترونی آگرInverse photoemission spectroscopy - طیف سنجی عکسبرداری معکوسIndium phosphide - فسفید هندوانهScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی Low-energy electron diffraction - پراش الکترونی کم انرژی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The structure and electronic states of an (NH4)2Sx-treated InP(1 1 1)A surface has been studied by using low-energy electron diffraction (LEED), Auger electron spectroscopy (AES), scanning tunneling microscopy (STM), and inverse photoemission spectroscopy (IPES). The sample annealed in ultra-high vacuum (UHV) condition at â¼300-400 °C showed a 2 Ã 2-LEED pattern. Oval-shaped protrusions are observed in filled-state STM images. IPES intensity of the (2 Ã 2)-S surface at EF +1-3 eV and +4-6 eV is decreased by the (NH4)2Sx treatment. Based on these results, a plausible structural model is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 153-156
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 153-156
نویسندگان
M. Shimomura, Y. Sano, N. Sanada, L.L. Cao, Y. Fukuda,