کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567339 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of Si3N4 and ZnS films on transmittance of InAsSb/InAsPSb heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The transmittance of InAsSb/InAsPSb heterostructures is remarkably improved by depositing a Si3N4 top layer. This demonstrates its good anti-reflective property. A study of the influence of various factors on the transmittance of the heterostructures is performed. A comparison was made between the transmittances of the heterostructures under different conditions. The different effects of Si3N4 and ZnS top layers on the transmittance of the InAsSb/InAsPSb heterostructures are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 297-300
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 297-300
نویسندگان
Y.Z. Gao, X.Y. Gong, W.Z. Fang, H.Y. Deng, G.J. Hu, M. Aoyama, T. Yamaguchi, N. Dai,