کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567351 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of Zn composition (0 < x < 1) in Cd1âxZnxTe epitaxial layers on GaAs substrates grown by MOVPE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Cd1âxZnxTe epitaxial layers over the entire composition range (x from 0 to 1) were grown on (1 0 0) GaAs substrates by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy. A growth temperature of 560 °C, and the group VI/II precursor flow rate ratio of 2 or larger enabled us to control the Zn composition strictly on the grown epilayers. Epitaxial layers with high crystal quality were obtained in a wide range of Zn composition. The double crystal rocking curves (DCRC) full-width at half maximum (FWHM) values were between 260 and 670 arcsec at the end points of alloy range. The low-temperature PL measurements showed distinct bound-exciton emissions and weak deep-level emissions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 347-350
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 347-350
نویسندگان
K. Yasuda, M. Niraula, H. Kusama, Y. Yamamoto, M. Tominaga, K. Takagi, Y. Aagata,