کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594662 | 1507975 | 2005 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Angle-resolved photoemission from stoichiometric GaN(0Â 0Â 0Â 1)-1Â ÃÂ 1
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
GaNAmmonia - آمونیاکSurface reconstruction - بازسازی سطحSynchrotron radiation - تابش سنکروترونphotoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتریکAngle-resolved photoemission - عکسبرداری زاویه ای حل شدهSemiconducting films - فیلم های نیمه هادیSurface electronic phenomena - پدیده های الکترونیکی سطحLow energy electron diffraction (LEED) - پراش الکترونی پایین (LEED)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Angle-resolved photoemission from stoichiometric GaN(0Â 0Â 0Â 1)-1Â ÃÂ 1 Angle-resolved photoemission from stoichiometric GaN(0Â 0Â 0Â 1)-1Â ÃÂ 1](/preview/png/9594662.png)
چکیده انگلیسی
We present results from an angle-resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy (ARUPS) investigation using synchrotron radiation of a stoichiometric Ga-polar GaN(0 0 0 1)-1 Ã 1 sample grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). The electronic structure of the surface was investigated with ARUPS along the ί-K¯-M¯, ί-M¯, and Î-A directions of the main symmetry lines of the surface and bulk Brillouin zones. We find one surface state close to the valence band maximum (VBM) at Î, dispersing down and emerging into the projected band gap in the region around K¯. From a comparison with a density functional theory (DFT) calculation [F.-H. Wang, P. Krüger, J. Pollmann, Phys. Rev. B 64 (2001) 035305-1], three additional surface related features are proposed, but no strongly dispersing Ga dangling bond band is observed. We find the VBM at 3.45 eV below the Fermi energy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 584, Issues 2â3, 20 June 2005, Pages 169-178
Journal: Surface Science - Volume 584, Issues 2â3, 20 June 2005, Pages 169-178
نویسندگان
S.M. Widstrand, K.O. Magnusson, L.S.O. Johansson, M. Oshima,