کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594681 | 1395896 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecularly intact and dissociative adsorption of water on clean Cu(1Â 1Â 0): A comparison with the water/Ru(0Â 0Â 1) system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Water - آبRadiation damage - آسیب تابشیRuthenium - روتنیوم Low index single crystal surfaces - سطوح منفرد کریستال پایینSynchrotron radiation photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتریک تابش SynchrotronCopper - مسSurface chemical reaction - واکنش شیمیایی سطحMolecule–solid reactions - واکنش های جامد مولکولی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Molecularly intact and dissociative adsorption of water on clean Cu(1Â 1Â 0): A comparison with the water/Ru(0Â 0Â 1) system Molecularly intact and dissociative adsorption of water on clean Cu(1Â 1Â 0): A comparison with the water/Ru(0Â 0Â 1) system](/preview/png/9594681.png)
چکیده انگلیسی
An X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) study was undertaken of the water/Cu(1Â 1Â 0)-system finding non-dissociative adsorption on clean Cu(1Â 1Â 0) at temperatures below 150Â K. Thermally induced dissociation of D2O is observed to occur above 150Â K, similar to the H2O/Ru(0Â 0Â 1) system, with an experimentally derived activation barrier of 0.53-0.56Â eV which is very close in magnitude to the derived activation barrier for desorption of 0.50-0.53Â eV. X-ray and electron induced damage to the water overlayer was quantified and used to rationalize the results of a recent XPS study of the water/Cu(1Â 1Â 0)-system where partial dissociation was observed already at 90Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 585, Issue 3, 10 July 2005, Pages L183-L189
Journal: Surface Science - Volume 585, Issue 3, 10 July 2005, Pages L183-L189
نویسندگان
K. Andersson, A. Gómez, C. Glover, D. Nordlund, H. Ãström, T. Schiros, O. Takahashi, H. Ogasawara, L.G.M. Pettersson, A. Nilsson,