کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9595127 1507983 2005 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Boronizing structures of Si(1 1 3) surfaces
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Boronizing structures of Si(1 1 3) surfaces
چکیده انگلیسی
With the help of scanning tunneling microscopy observations and first-principles calculations, we demonstrate that B preferential occupation at self-interstitial sites of Si(1 1 3) induces 3 × 1:B surfaces made up of adatoms and interstitial pentamers. The B atoms may serve as adatoms, while the interstitial pentamers may be boronized with different numbers of B atoms owing to the self-interstitial effects of B atoms. Our findings indicate that a Si(1 1 3) surface may be doped with B to an extremely high level.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 576, Issues 1–3, 10 February 2005, Pages 83-88
نویسندگان
, ,