کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595127 | 1507983 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Boronizing structures of Si(1Â 1Â 3) surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
With the help of scanning tunneling microscopy observations and first-principles calculations, we demonstrate that B preferential occupation at self-interstitial sites of Si(1Â 1Â 3) induces 3Â ÃÂ 1:B surfaces made up of adatoms and interstitial pentamers. The B atoms may serve as adatoms, while the interstitial pentamers may be boronized with different numbers of B atoms owing to the self-interstitial effects of B atoms. Our findings indicate that a Si(1Â 1Â 3) surface may be doped with B to an extremely high level.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 576, Issues 1â3, 10 February 2005, Pages 83-88
Journal: Surface Science - Volume 576, Issues 1â3, 10 February 2005, Pages 83-88
نویسندگان
Zhaohui Zhang, Koji Sumitomo,