کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9671900 | 1450490 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microwave-induced zero-resistance states on 2D electron gas: theoretical explanation and temperature dependence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new theoretical model is presented in which the radiation-induced zero-resistance states and resistivity oscillations are analyzed. The basis of our model is an exact solution for the harmonic oscillator wave function in the presence of radiation and a perturbation treatment for elastic scattering due to randomly distributed charged impurities. Following this model most experimental results are reproduced: zero-resistance states, resistivity oscillations and the dependence of resistivity with temperature, where a physical model of interaction with acoustic phonon is presented, and an activation energy is calculated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 334-337
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 334-337
نویسندگان
Jesús Iñarrea, Gloria Platero,