کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9671933 | 1450490 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN nanodot fabrication by implant source growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
By using implant source growth, an ion beam synthesis technique where implanted ions are used as a growth source for nanostructures, we have fabricated self-assembled GaN nanodots on SiO2. The fabrication method consists of implanting Ga ions into a 60Â nm thick thermally grown SiO2 layer by using a focused ion beam system followed by annealing under an NH3 flux. The morphology, crystal structure, and optical properties of the GaN nanodots are also shown and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 456-459
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 456-459
نویسندگان
R. Buckmaster, J.H. Yoo, K. Shin, Y. Yao, T. Sekiguchi, M. Yokoyama, T. Hanada, T. Goto, M. Cho, Y. Kawazoe, T. Yao,