کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9671946 | 1450490 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electroluminescence from B- and P-doped silicon nanoclusters
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electroluminescence from B- and P-doped silicon nanoclusters Electroluminescence from B- and P-doped silicon nanoclusters](/preview/png/9671946.png)
چکیده انگلیسی
The ability of different impurities to enhance the electroluminescence (EL) of Si nanoclusters (nc-Si) in SiO2 has been investigated. Doped nc-Si films were fabricated by implantation of Si+, P+ and/or B+ into thermal SiO2 and subsequent heat treatment. The photoluminescence and EL of differently doped nc-Si produced by annealing at 1100 and 1000 °C were compared. It was found that EL related to impact excitation by hot electrons and its improvement is caused by reducing of phase separation temperature for doped nc-Si films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 502-505
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 502-505
نویسندگان
V. Ovchinnikov, S. Novikov, T. Toivola, J. Sinkkonen,