کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
973936 1480110 2016 11 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Patterning and pattern selection in a surface layer: Feedback between point defects population and surface layer temperature variations
ترجمه فارسی عنوان
طرح بندی و انتخاب الگوی در یک سطح سطح: بازخورد بین جمعیت نقاط نقطه و تغییرات دمای سطح لایه
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
ما مطالعه پویایی شکل گیری الگوی در یک سیستم نمونه اولیه از نقاط نقطه ناپایداری در فویل های ناز تحت شرایط عدم همبستگی پایدار است. یک مدل انتشار واکنش نشان دهنده رفتار فضایی و زمانی هر دو جمعیت خالص و دمای محلی لایه سطحی است. نشان داده شده است که فرآیند های انتخاب الگوی که بوسیله اتصال بین جمعیت نقص و دمای محلی سطح به دست می آیند، به دست می آید. دینامیک وابسته به نوسانات لحظه های اصلی آماری هر دو میدان مغناطیسی خازنی و درجه حرارت لایه ی سطح به طور دقیق مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرد. یافته شده است که در طول تحول سیستم، توزیع فضایی تغییرات دما محلی سطح لایه مربوط به توزیع جمعیت خالی است. نشان داده شده است که میانگین خوشه های خالی (از 30 نانومتر تا 300 نانومتر) به علت فرآیند انتخاب الگوهای، به صورت نوسان به وجود می آید. مورفولوژی مجتمع های معیوب می تواند با سرعت تولید نقص ها کنترل شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه ریاضیات فیزیک ریاضی
چکیده انگلیسی
We study dynamics of pattern formation in a prototype system of nonequilibrium point defects in thin foils under sustained nonequilibrium conditions. A reaction-diffusion model describing spatio-temporal behaviour of both vacancy population and local temperature of a surface layer is used. It is shown that pattern selection processes caused by coupling between defect population and local temperature of a surface are realized. Associated oscillatory dynamics of main statistical moments of both vacancy concentration field and surface layer temperature is analysed in detail. It is found that during the system evolution spatial distribution of local temperature variations of the surface layer relates to vacancy population distribution. It is shown that the mean size of vacancy clusters (from 30 nm up to 300 nm) evolves in oscillatory manner due to pattern selection processes. Morphology of defect complexes can be controlled by defects generation rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 463, 1 December 2016, Pages 152-162
نویسندگان
, , , ,