کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9804074 | 1516478 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of oxygen concentration in the sputtering gas and effect of substrate type on the electrical resistance of Bi:2201 nanoscale thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of oxygen concentration in the sputtering gas and effect of substrate type on the electrical resistance of Bi:2201 nanoscale thin films Effect of oxygen concentration in the sputtering gas and effect of substrate type on the electrical resistance of Bi:2201 nanoscale thin films](/preview/png/9804074.png)
چکیده انگلیسی
The effect of different oxygen pressure (fO2) in the sputtering gas and the nature of the substrate on the electrical resistivity of thin films is presented. The electrical resistivity increases when the fO2 content in the sputtering gas decreases. For the same value of fO2, the electrical resistivity is higher for films on MgO substrate than for films on SiTiO3 substrate. For both substrates, in the lower temperature range, the underdoped films show a ln (1/T) behavior of Ï(T).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 389, Issues 1â2, 8 March 2005, Pages 5-9
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 389, Issues 1â2, 8 March 2005, Pages 5-9
نویسندگان
A.V. Pop, G. Ilonca, M. Pop, D. Marconi,