کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9808749 | 1517355 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen annealing effects on epitaxy of SOI wafer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Hydrogen annealing effects on epitaxy of SOI wafer Hydrogen annealing effects on epitaxy of SOI wafer](/preview/png/9808749.png)
چکیده انگلیسی
Thick silicon on insulator (SOI) wafers have been fabricated by chemical vapor deposition (CVD) after separation by implantation of oxygen (SIMOX) process. The hydrogen annealing effects on epitaxial Si layer were studied. The hydrogen annealing could remove the surface damages of substrate caused by SIMOX process and provide a smoother epitaxial substrate. The number of dislocations and stacking faults in the epitaxial layer decreased remarkably by hydrogen annealing SOI substrate. Meanwhile, compared with other reports, our hydrogen annealing did not degrade the buried oxide layer and top Si layer of SOI substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issues 2â3, February 2005, Pages 361-365
Journal: Materials Letters - Volume 59, Issues 2â3, February 2005, Pages 361-365
نویسندگان
Xinli Cheng, Zhilang Lin, Yongjin Wang, Haibo Xiao, Feng Zhang, Shichang Zou,