کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9809688 | 1517714 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of a high-density plasma immersion ion implanter with scaleable ECR large-area plasma source
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Since hydrogen implantation requiring high dose often results in blistering of the wafer surface, a new Smart-Cutâ¢-like technology has been suggested (US Patent 6,352,909) where the one-step hydrogen implantation is replaced by a two-step process. The designed ECR-PIII can offer substantial advantage in providing the high yield of protons used for the micro-bubble formation in the two-step process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 196, Issues 1â3, 22 June 2005, Pages 172-179
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 196, Issues 1â3, 22 June 2005, Pages 172-179
نویسندگان
Yuri Glukhoy, Mahmud Rahman, Gotze Popov, Alexander Usenko, Hans J. Walitzki,