کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829562 | 1524494 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of Ge(Se1âxSx)2 series layered crystals grown by vertical Bridgman method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization of Ge(Se1âxSx)2 series layered crystals grown by vertical Bridgman method Characterization of Ge(Se1âxSx)2 series layered crystals grown by vertical Bridgman method](/preview/png/9829562.png)
چکیده انگلیسی
Single crystals of Ge(Se1âxSx)2 with x=0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8 and 1.0 were grown by vertical Bridgman method. The crystalline phase and stochiometry of the layered crystals were investigated by X-ray, SEM and EPMA techniques. The energy band gaps of the whole series crystals were examined by thermoreflectance (TR) and transmission measurements. Compositional dependences of the band gap and broadening parameter for Ge(Se1âxSx)2 were evaluated. The relationship for the composition-dependent direct band gaps of Ge(Se1âxSx)2 is determined to be Eg(x)=(2.43±0.03)+(0.38±0.02) x+(0.26±0.02) x2eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 281, Issues 2â4, 1 August 2005, Pages 377-383
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 281, Issues 2â4, 1 August 2005, Pages 377-383
نویسندگان
C.C. Wu, C.H. Ho, J.Y. Wu, S.L. Lin, Y.S. Huang,