کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829592 | 1524494 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High temperature crystallization of NdAl3(BO3)4 and YAl3(BO3)4 doped with Sc3+and Ga3+
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
New data on flux growth of mixed crystals of R(Al,M)3(BO3)4, R=Y, Nd, M=Sc, Ga have been obtained. Single crystals were prepared by spontaneous nucleation under different conditions using a K2Mo3O10 based flux. The initial concentration of Sc and Ga doped RAl3(BO3)4 crystalline substance in fluxed melts was varied from 17 to 30 wt%. The average K distribution coefficients were found to be 0.98-0.31 for gallium, but no scandium was found in these materials. Splitting of trigonal prism faces is a specific morphological feature of the crystals grown.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 281, Issues 2â4, 1 August 2005, Pages 587-591
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 281, Issues 2â4, 1 August 2005, Pages 587-591
نویسندگان
N.I. Leonyuk, E.V. Koporulina, V.V. Maltsev, A.V. Mokhov, O.V. Pilipenko,