کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829764 | 1524498 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of the switching phenomena in Ga2Te3 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of the switching phenomena in Ga2Te3 single crystals Investigation of the switching phenomena in Ga2Te3 single crystals](/preview/png/9829764.png)
چکیده انگلیسی
Unintentionally doped p-type Ga2Te3 semiconductor single crystals have been grown by a directional freezing method based on the Bridgman-Stockbarger crystal growth method. The switching effect of the compound has been investigated at various temperatures (140-300Â K). The current-voltage (I-V) characteristics of the compound show two different regions: an ohmic region at low-current densities and a negative differential resistance (NDR) region at moderate and higher current densities. This behavior has been explained by an electrothermal model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 1â2, 15 May 2005, Pages 110-113
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 1â2, 15 May 2005, Pages 110-113
نویسندگان
Å. AydoÄan, T. Karacalı, Y.K. YoÄurtçu,