کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829767 | 1524498 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One of the potentially optimal interfaces of β-FeSi2/Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A possible optimal epitaxial relationship between the β-FeSi2 film and a Si substrate was determined using the Îg parallelism rule and a CCSL model. The predicted interface exhibits a good lattice matching, containing a secondary invariant line lying in an irrational orientation of [â2 â2.9 2.9]Si. The corresponding interface (â2.9 1 â1)Si, which defines the plane of the Si substrate, must contain steps. This interface may contain a set of the secondary edge dislocations with the Burgers vector of [010]β/2 in a spacing of 26 nm to accommodate the small (1.5%) misfit between [010]β and [0 â1 â1]Si. Since the overall interfacial misfit is small, a high-quality β-FeSi2 film will be possibly obtained by epitaxial growth on the special stepped Si substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 1â2, 15 May 2005, Pages 129-139
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 279, Issues 1â2, 15 May 2005, Pages 129-139
نویسندگان
Y.M. Zhu, W.-Z. Zhang, F. Ye,