کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830245 | 1524505 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of growth defects in benzophenone crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Synchrotron radiation white-beam topography was used to investigate the defects in benzophenone crystals grown from undercooled melt. The individual grown defects, such as growth striations, dislocations, inclusions and cavities, were observed in the topographs. The origin of the defects in benzophenone crystals was analyzed, and the results indicated that the purity of materials and the degree of undercooling were the main causes of the formation of defects in benzophenone crystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 3â4, 1 February 2005, Pages 518-521
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 3â4, 1 February 2005, Pages 518-521
نویسندگان
Weidong Huang, Wenli Wang, Meng Wang, Qingxi Yuan,