کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830272 | 1524506 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of polarity on GaN thermal stability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A comparative study of the stability of Ga- and N-polar GaN films was made in different gas ambients (N2, H2, NH3, HCl). The Ga-polar films were observed to undergo a dissociative sublimation, while the N-polar films formed condensed Ga in addition to the gaseous species. The difference in polarity affects the morphology and bonding on the surface, and thus, stability of the atoms bonded to the surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 1â2, 15 January 2005, Pages 38-46
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 1â2, 15 January 2005, Pages 38-46
نویسندگان
M.A. Mastro, O.M. Kryliouk, T.J. Anderson, A. Davydov, A. Shapiro,