کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9837835 | 1525284 | 2005 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the additivity of generation-recombination spectra Part 3: The McWhorter model for 1/f noise in MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A simple comparison of experimental α-values with values calculated from a Îμ-model or a McWhorter În-model does not allow us to decide which the correct noise source is. However, the dependence of α on the gate voltage has often been used as a criterion for the correct source. Nevertheless, the VGT-dependence does not lead to unambiguous conclusions either.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 357, Issues 3â4, 15 March 2005, Pages 507-524
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 357, Issues 3â4, 15 March 2005, Pages 507-524
نویسندگان
L.K.J. Vandamme, F.N. Hooge,