کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9837835 1525284 2005 18 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the additivity of generation-recombination spectra Part 3: The McWhorter model for 1/f noise in MOSFETs
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
On the additivity of generation-recombination spectra Part 3: The McWhorter model for 1/f noise in MOSFETs
چکیده انگلیسی
A simple comparison of experimental α-values with values calculated from a Δμ-model or a McWhorter Δn-model does not allow us to decide which the correct noise source is. However, the dependence of α on the gate voltage has often been used as a criterion for the correct source. Nevertheless, the VGT-dependence does not lead to unambiguous conclusions either.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 357, Issues 3–4, 15 March 2005, Pages 507-524
نویسندگان
, ,