کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9837880 | 1525285 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recovery kinetics of the GaAs(0Â 0Â 1) surface in molecular beam epitaxy studied by in situ X-ray diffraction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Recovery kinetics of the GaAs(0Â 0Â 1) surface in molecular beam epitaxy studied by in situ X-ray diffraction Recovery kinetics of the GaAs(0Â 0Â 1) surface in molecular beam epitaxy studied by in situ X-ray diffraction](/preview/png/9837880.png)
چکیده انگلیسی
Grazing incidence X-ray diffraction is used to study the GaAs(0 0 1) surface kinetics after a fractional number of monolayers is deposited by molecular beam epitaxy. We compare submonolayer depositions with the growth of non-integer number of layers. The coarsening exponent n of the mean 2D island size, l(t)â¼tn, is found to be n=0.93±0.18. This exponent is notably larger than the Lifshitz-Slyozov exponent n=1/3 expected for Ostwald ripening. A possible origin of this difference is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 357, Issues 1â2, 28 February 2005, Pages 165-169
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 357, Issues 1â2, 28 February 2005, Pages 165-169
نویسندگان
Vladimir M. Kaganer, Wolfgang Braun, Bernd Jenichen, Klaus H. Ploog,