کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9845174 | 1526509 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation damage studies for the BaBar Silicon Vertex Tracker
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The Silicon Vertex Tracker of the BaBar experiment is a five-layer, double-sided AC-coupled silicon microstrip detector operating on the PEP-II storage ring at the Stanford Linear Accelerator Center. After more than four years of running, the silicon sensors and the front-end electronics in the inner layer have absorbed radiation doses up to 2Â Mrad. In this paper we present results from radiation hardness tests and discuss the implications of the absorbed radiation dose on the Silicon Vertex Tracker lifetime.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 549, Issues 1â3, 1 September 2005, Pages 11-15
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 549, Issues 1â3, 1 September 2005, Pages 11-15
نویسندگان
V. Re, D. Kirkby, M. Bruinsma, J. Berryhill, S. Burke, D. Callahan, C. Campagnari, B. Dahmes, D. Hale, P. Hart, S. Kyre, S. Levy, O. Long, M. Mazur, J. Richman, J. Stoner, W. Verkerke, J. Beringer, A. Mihalyi,