کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9845342 | 1526512 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
State of the art on epitaxial GaAs detectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We first briefly review the performances for X-ray detection which are obtained using thin epitaxial GaAs layers. We then show that good detectors can be realized on thick and large area epitaxial GaAs layers which are now available, making them suitable for X-ray imaging. We finally discuss the main limitation imposed by the epitaxial nature of this new material and ways to overcome it.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 546, Issues 1â2, 1 July 2005, Pages 140-147
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 546, Issues 1â2, 1 July 2005, Pages 140-147
نویسندگان
G.C. Sun, N. Mañez, M. Zazoui, A. Al-Ajili, D.W. Davidson, V. O'Shea, F. Quarati, K.M. Smith, D. Chambellan, O. Gal, Ph. Pillot, M. Lenoir, J.P. Montagne, A. Bchetnia, J.C. Bourgoin,