دانلود مقالات ISI درباره 81.05.cy + ترجمه فارسی

INTEGRAL: In flight behavior of ISGRI and SPI

Keywords: 95.55.Ka; 81.05.Cy; 81.05.Dz; 07.89.+b; Cooled germanium detectors; Room temperature semiconductors; Gamma-ray astronomy; Asics; Space environment;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The control of growth parameters in the synthesis of high-quality single crystalline diamond by CVD

Keywords: 61.72.Ji; 68.55.Jk; 78-55.−m; 81.05.Cy; 81.15.Gh; A1. Growth rate; A2. Chemical vapour deposition; A2. Homoepitaxial growth; B1. Diamond;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Microscopic contact and slip in Si epitaxy

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Dislocation; B2. Semiconductor silicon; B2. Slip;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Susceptor honing and contact stress in Si epitaxy

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Empirical inference of in situ wafer sagging in Si epitaxy using pocket susceptor

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heterostructures GexSi1−x/Si(0 0 1) grown by low-temperature (300-400 °C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation

Keywords: 61.72.Cc; 81.05.Cy; 81.15.Hi; A1. Misfit dislocations; A1. Threading dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On three-dimensional instability of a traveling magnetic field driven flow in a cylindrical container

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Fq; 81.10.Mx; 47.15.Fe; 47.20.Gv; 47.62.+q; A1. Electromagnetic flow control; A1. Flow stability; B2. Semiconductor melts;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Real-time high intensity X-ray dosimetry diamond monitors: Response simulations compared to silicon sensitivities

Keywords: 29.40.Wk; 81.05.Cy; 87.53.Dq; Diamond; Silicon; Real-time dosimetry; Room-temperature X-ray detector; Absorbed dose; Ambient dose; Angular dependence; Survey dosimetry;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optimisation of low-temperature silicon epitaxy on seeded glass substrates by ion-assisted deposition

Keywords: 61.16.Bg; 61.82.Fk; 68.55.−JK; 68.55.Ln; 81.05.Cy; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 81.15.Jj; 85.30.Kk; 84.60.Jt; A1. Crystal structure; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Physical vapour deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Photovoltaic solar cells: An overview of state-of-the-art cell development and environmental issues

Keywords: 84.60.Jt; 81.05.Cy; 81.05.Ea; 81.05.Dz; 81.15.Gh; 81.15.Kk; A1 environmental studies; A3 Chemical vapor deposition processes; A3 Vapor phase Epitaxy; B3 III-V solar cells; B3 II-VI solar cells; B3 organic solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 42 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه