کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9829701 | 1524496 | 2005 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Heterostructures GexSi1âx/Si(0 0 1) grown by low-temperature (300-400 °C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The dislocation velocity is estimated by the measuring of the length of misfit dislocations observed in annealed films. Additionally a method for estimating the mean threading dislocation glide velocity is used, which involves the measured threading dislocation density in a particular film and degree of its plastic relaxation directly related to the number of threading dislocations and their glide velocity. It is shown that dislocation glide velocities in heterostructures grown with the use of the low-temperature Si buffer and at low-temperatures are higher than the values predicted by the classical calculations by an order of magnitude.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 1â2, 15 June 2005, Pages 309-319
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 280, Issues 1â2, 15 June 2005, Pages 309-319
نویسندگان
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov,