دانلود مقالات ISI درباره A3 اپی تیکای سلولی مولکولی + ترجمه فارسی

Suspended Ga2Se3 film and epitaxial Bi2Se3(221) on GaSb(001) by molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; B2. Bi2Se3; B2. Ga2Se3; A1. Suspended Ga2Se3 Film; B1. Topological insulator; A3. Molecular-Beam Epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Semi-insulating InP:Fe for buried-heterostructure strain-compensated quantum-cascade lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices; B3. Infrared devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

p-type conductivity control of heteroepitaxially grown ZnO films by N and Te codoping and thermal annealing

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; A1. Doping; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Edge misfit dislocations in the GeSi/Si(001) pair: Conditions and specific features of high-quantity generation

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; A1. Misfit dislocations; Al. Edge dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Kinetically limited growth of GaAsBi by molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; A1. Atomic-Force Microscopy; A1. Growth Models; A1. Segregation; A3. Molecular-Beam Epitaxy; B1. Bismuth Compounds; B2. Semiconducting III-V Materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effects of plasma species on the N incorporation of GaAsSbN grown by plasma-assisted gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting quaternary alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Specific features of formation and propagation of 60° and 90° misfit dislocations in GexSi1−x/Si films with x>0.4

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; A1. Misfit dislocations; Al. Threading dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

High-density GaAs/AlGaAs quantum dots formed on GaAs (3 1 1)A substrates by droplet epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 68.37.Ps; 81.15.Hi; 78.67.Hc; A1. Low dimensional structure; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconductor III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Improved performance of GaInNAs solar cells grown by molecular-beam epitaxy using increased growth rate instead of surfactants

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 68.35.Dv; 68.37.Ps; 71.55.Eq; 71.20.Nr; 81.15.HiA1. Roughening; A1. Segregation; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Overgrowth of GaN on Be-doped coalesced GaN nanocolumn layer by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy-Formation of high-quality GaN microcolumns

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 78.55.Et; 78.67.−n; 61.46.Hk; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Microcolumn; B1. Nanocolumn; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(0 0 1) layer for high-density InAs quantum dot growth

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 61.05.C−; 68.35.−p; 81.05.Ea; 81.15.HiA1. X-ray diffraction; A1. Surface structure; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Surface segregation of Sb atoms during molecular-beam epitaxy of InSb quantum dots in an InAs(Sb) matrix

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 64.75.+g; 81.05.Ea; 81.07.Ta; 81.15.−z; 81.15.HiA1. Segregation; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of interface interruption on spin relaxation in GaAs (1 1 0) quantum wells

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 78.66.Fd; 81.15.Hi; 73.50.−hA1. X-ray diffraction; A3. Molecular-beam epitaxy; A3. Quantum wells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Modification of InAs quantum dot structure during annealing

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 61.10.−i; 68.65.−k; 81.15.HiA1. X-ray diffraction; A3. Molecular-beam epitaxy; A3. Quantum dots; B2. Semiconductor III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Structural and optical properties of GaN nanocolumns grown on (0 0 0 1) sapphire substrates by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 78.55.Et; 78.67.−n; 61.46.Hk; 81.15.HiA1. Nanostructures; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Gallium compounds; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of heavily Sn-doped GaAs grown by migration-enhanced epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 61.72.Vv; 64.75.+g; A1. Doping; A1. Impurities; A1. Segregation; A3. Migration enhanced epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN HEMTs on free-standing GaN substrates: MBE growth and microwave characterization

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 81.15.Hi; 72.80.Ey; 85.30.TvA3. Hydride vapor phase epitaxy; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Molecular-beam epitaxial growth and characterization of ferromagnetic cubic GaCrN on GaAs substrate

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 75.50.Pp; 68.55.Bd; 78.55.Cr; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Magnetic materials; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Sb as surfactant at plastic relaxation of GeSi/Si(0 0 1) films grown by molecular-beam epitaxy: Reduction of surface roughness value

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 81.15.Hi; 68.55.Jk; 81.05.Cy; A1. Misfit dislocation nucleation; A3. Low-temperature growth; A3. Molecular-beam epitaxy; A3. Surfactant; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dominating nucleation of misfit dislocations from the surface in GeSi/Si(0 0 1) films with a stepwise composition grown by means of molecular-beam epitaxy

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 61.72.Cc; 81.05.Cy; 81.15.HiA1. Misfit dislocations; Al. Threading dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Heterostructures GexSi1−x/Si(0 0 1) grown by low-temperature (300-400 °C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation

Keywords: A3 اپی تیکای سلولی مولکولی; 61.72.Cc; 81.05.Cy; 81.15.Hi; A1. Misfit dislocations; A1. Threading dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه