کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794889 | 1023709 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Overgrowth of GaN on Be-doped coalesced GaN nanocolumn layer by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy-Formation of high-quality GaN microcolumns
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GaN crystals were overgrown on GaN nanocolumn platforms with a Be-doped coalesced layer by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy (rf-MBE). The overgrown GaN included large micrometer-scale hexagonal columnar crystals. These microcrystals were named 'microcolumns' and showed high optical properties comparable to those of GaN bulk crystals grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2956-2961
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 10, 1 May 2009, Pages 2956-2961
نویسندگان
Kei Kato, Katsumi Kishino, Hiroto Sekiguchi, Akihiko Kikuchi,