دانلود مقالات ISI درباره 81.05.cy + ترجمه فارسی

Strong photoluminescence anisotropy in porous silicon layers prepared by polarized-light assisted anodization

Keywords: 78.55.Mb; 78.67.Bf; 81.05.Cy; 81.40.Tv; A. Semiconductors; B. Nanofabrications; D. Optical properties; E. Luminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

CV characteristics of polycrystalline sige films with low GE concentration

Keywords: 73.61.−r; 81.05.Cy; 81.15.Gh; 84.37.+q; 85.30.De; 85.30.Tv; CVD; Silicon; Germanium; MOS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of nitrogen doping on denuded zone formed by rapid thermal process in Czochralski silicon wafer

Keywords: 61.72.Yx; 81.30.Mh; 81.05.Cy; Denuded zone; Oxygen precipitate; Silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Pocket surface and slip defect in Si epitaxy

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.FeA1. Defects; A1. Stresses; A3. CVD processes; B2. Semiconductor silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Sb as surfactant at plastic relaxation of GeSi/Si(0 0 1) films grown by molecular-beam epitaxy: Reduction of surface roughness value

Keywords: 81.15.Hi; 68.55.Jk; 81.05.Cy; A1. Misfit dislocation nucleation; A3. Low-temperature growth; A3. Molecular-beam epitaxy; A3. Surfactant; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of strain on solid-liquid phase equilibrium in heteroepitaxy of SiGe/Si(0 0 1)

Keywords: 64.70.Dv; 81.05.Cy; 81.10.Dn; 81.15.Lm; 81.40.Jj; 82.60.Lf; A1. Phase equilibria; A1. Segregation; A1. Stresses; A1. Supersaturated solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Toward the fast deposition of highly crystallized microcrystalline silicon films with low defect density for Si thin-film solar cells

Keywords: 81.05.Cy; 81.15.Gh; 52.70.Kz; 84.60.JtSilicon; Solar cells; Crystal growth; Raman scattering; X-ray diffraction; Conductivity; Chemical vapor deposition; Ellipsometry; Plasma deposition; Microcrystallinity; Optical spectroscopy; Photoconductivity; Raman s

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Modeling charged defects, dopant diffusion and activation mechanisms for TCAD simulations using kinetic Monte Carlo

Keywords: 66.30.Jt; 61.72.Ji; 81.05.Cy; 61.43.Bm; 85.40.Bh; 61.72.BbDiffusion; Defects; Kinetic Monte Carlo; TCAD; Activation; Simulation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of hydrogen on poly- and nano-crystallization of a-Si:H prepared by RF magnetron sputtering

Keywords: 61.46.+w; 68.55.−a; 81.05.Cy; 81.15.CdA1. Inductive coupled plasma; A1. RF magnetron sputtering; B1. Nanocrystalline silicon; B1. Polycrystalline silicon; B1. Silicon–hydrogen bonds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Extended defects in Si films epitaxially grown by low-temperature ECRCVD

Keywords: 61.72.Ff; 61.72.Nn; 68.37.Lp; 81.15.Gh; 81.05.Cy; A1. Crystal structure; A1. Extended defects; A3. Low-temperature epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Large modification of crystal–melt interface shape during Si crystal growth by using electromagnetic Czochralski method (EMCZ)

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Boron segregation control in silicon crystal ingots grown in Czochralski process

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Distribution coefficient; A1. Dopant concentration; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Progress with polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass at UNSW

Keywords: 68.55.−Jk; 68.55.Ln; 81.05.Cy; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 81.15.Jj; 84.60.Jt; 85.30.KkA1. Crystal structure; A3. Physical vapour deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ultrasonic-induced growth of crystalline tellurium nanorods and related branched structures

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Dn; 81.20.KaA1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A2. Growth from solutions; A2. Single crystal growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High-throughput zone-melting recrystallization for crystalline silicon thin-film solar cells

Keywords: 81.10.Fq; 68.55.Ln; 81.05.Cy; 84.60.JtA1. Recrystallization; A1. Volume defects; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cellsCP133, Chemical polish etch consisting of H2O, HF, HNO3, CH3COOH; CSiTF, Crystalline silicon thin film; CVD,

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Solidification interface shape control in a continuous Czochralski silicon growth system

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.AjA1. Computer simulation; A2. Czochralski growth; A2. Industrial crystallization; B2. Semiconductor silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Dominating nucleation of misfit dislocations from the surface in GeSi/Si(0 0 1) films with a stepwise composition grown by means of molecular-beam epitaxy

Keywords: 61.72.Cc; 81.05.Cy; 81.15.HiA1. Misfit dislocations; Al. Threading dislocations; A3. Molecular-beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

X-ray characterization of detached-grown germanium crystals

Keywords: 61.72.Ff; 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Defects; A1. X-ray diffraction; A1. X-ray topography; A2. Detached Bridgman technique; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Scanning infrared microscopy investigation of copper precipitation in cast multicrystalline silicon

Keywords: 81.05.Cy; 81.05.Bx; 81.30.MhSilicon; Copper; Precipitation

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Multiple growth and characterization of thick diamond single crystals using chemical vapour deposition working in pulsed mode

Keywords: 61.72.Ji; 68.55.Jk; 78.−55.m; 81.05.Cy; 81.15.GhA1. Optical characterization; A3. Chemical vapour deposition; A3. Homoepitaxy; B1. Diamond; B1. Nitrogen

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Thermoelectromagnetic convection in vertical Bridgman grown germanium–silicon

Keywords: 47.65.+a; 45.70.Mg; 61.82.Fk; 64.75.+g; 72.15.Jf; 72.20.Pa; 72.80.Cw; 81.05.Cy; 81.10.Fq; 87.50.MnA1. Fluid flows; A1. Magnetic field; A1. Mass transfer; A1. Segregation; A1. Thermoelectromagnetic convection; B2. Semiconducting materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Field emission from ZnS nanorods synthesized by radio frequency magnetron sputtering technique

Keywords: 79.70+q; 81.05.Cy; 81.07.Bc; Field emission; Zinc sulphide; Nanorods; Magnetron sputtering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Correlation between optical properties and Si nanocrystal formation of Si-rich Si oxide films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Keywords: 78.67.Bf; 81.05.Cy; 81.07.−b; 81.15.Gh; Plasma-enhanced chemical vapor deposition; Silicon nanocrystals; Silicon oxide; Optical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

DC magnetron reactive sputtered InN thin film electrodes as photoanodes in aqueous solution. A study of as prepared and nitrogen annealed electrodes

Keywords: 81.05.cy; 81.05.zx; 81.15.cdIndium nitride; Indium oxide; Sputtering; Photoelectrochemistry; Aqueous solution; Thin film; Structural properties

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Silicon surface morphology study after exposure to tailored femtosecond pulses

Keywords: 52.38.Mf; 79.20.Ds; 81.05.Cy; Femtosecond laser ablation; Silicon; Pulse shaping; Crater morphology;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Influence of substrate dc bias on crystallinity of silicon films grown at a high rate from inductively-coupled plasma CVD

Keywords: 78.30.−j; 81.05.Cy; Inductively-coupled plasma; Microcrystalline silicon; High rate deposition; Substrate bias;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Controlled synthesis of trigonal selenium crystals with different morphologies

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Dn; A. Semiconductors; B. Crystal growth; B. Chemical synthesis;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The evolution of the morphology of Ge nanocrystals formed by ion implantation in SiO2

Keywords: 81.07.−b; 61.10.Eq; 61.46.+w; 68.65.−k; 68.65.Hb; 81.05.Cy; Nanocrystals; Quantum dots; X-ray scattering; GISAXS; Implantation; Ge;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the core structures of dislocations in semiconductors

Keywords: 61.72.−y; 62.50+p; 81.05.Cy; 81.05.Hd; 81.40.Lm; Semiconductors; Silicon; Silicon carbide; Dislocation; High stress;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

H+ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si1−xGex on SiO2 during oxidation-induced Ge condensation process

Keywords: 85.30.Tv; 81.05.Cy; 81.65.Mq; 78.30.Am; 68.55.Jk; Strained Si; Virtual substrate; SGOI; MOSFET; Oxidation-induced Ge condensation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Highly ordered germanium nanostructures grown by molecular beam epitaxy on twist-bonded silicon (0 0 1) substrates

Keywords: 81.07.Ta; 81.15.Np; 81.05.Cy; 68.35.Gy; 68.55.Ac; A1. Molecular bonding; A1. Nanostructures; A2. Organized growth; B1. Germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Straight single-crystalline germanium nanowires and their patterns grown on sol-gel prepared gold/silica substrates

Keywords: 68.65.+g; 64.70.Hz; 81.05.Cy; 81.20.Fw; A. Germanium nanowires; B. Vapor-liquid-solid growth mechanism; B. Sol-gel; C. Scanning and transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Initial growth behaviors of SiGeC in SiGe and C alternate deposition

Keywords: 81.05.Cy; 68.37.Ef; 81.05.Hi; 68.35.Bs; 61.72.Ff; SiGeC; STM; MBE; Surface reconstruction; Direct observation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The effect of plastic strain relaxation on the morphology of Ge quantum dot superlattices

Keywords: 81.05.Cy; 61.82.Rx; 81.15.Hi; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

N-channel MOSFETs fabricated on He-implanted and annealed SiGe buffer layers

Keywords: 81.05.Cy; 85.30.Tv; 85.40.−e; Strained Si MOSFETs; SiGe buffer layers;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effects of growth temperature and arsenic pressure on size distribution and density of InAs quantum dots on Si (001)

Keywords: 61.46.1w; 73.61.Ey; 81.15.Hi; 81.05.Cy; Molecular beam epitaxy; Indium arsenide; Quantum dots; Transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Application of ultra-high energy boron implantation for superjunction power (CoolMOS™) devices

Keywords: 61.72.Tt; 61.80.Jh; 81.05.Cy; 85.30.Tv; 85.40.Ry; Power devices; Silicon; Ion implantation; Doping; Accelerator; Radiation;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of silicon-on-insulator (SOI) substrate preparation using the smart-cutTM process

Keywords: 81.05.Cy; 81.05.−t; 82.65.+r; 68.35.Rh; Si-on-insulator (SOI); Smart-cutTM; Wafer bonding; Surface blistering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Application of plasma oxidation to strained-Si/SiGe MOSFET

Keywords: 81.65.Mq; 81.05.Cy; 73.40.Qv; 68.35.Ct; Strained-Si; Plasma oxidation; MOSFET; Surface roughness;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Transient wafer deflection in Si epitaxy

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structure and photoluminescence of Ge nanoparticles embedded in SiO2 gel glasses fabricated at different temperatures

Keywords: 42.72.Nq; 78.55.Ap; 81.05.Cy; 81.05.Ys; 81.20.Fw; Semiconductors; Glass; Sol-gel; Photoluminescence; Germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Detached growth behaviour of 2-in germanium crystals

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Directional solidification; A2. Gradient freeze technique; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Heavily doped silicon crystals: neckless growth and robust wafers

Keywords: 81.05.Cy; 61.72.Hh; 61.72.Lk; A1. Dislocation; A1. Heavy B doping; A1. Heavy B and Ge codoping; A1. Misfit dislocation; A1. Thermal stress; B2. Si crystal and wafer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

G-pulses and semiconductor segregation in μg Bridgman growth

Keywords: 81.10.Aj; 81.10.Mx; 81.05.Cy; 47.11.+j; A1. Directional solidification; A2. Bridgman technique; B1. Semiconductors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ultra-low-temperature homoepitaxial growth of Sb-doped silicon

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 85.60.Gz; A1. Delta doping; A1. Surfaces; A1. Surface segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The experimental-numerical investigation of instability of faceted Ge doped by Sb growth on the base of AHP method

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Fq; 61.72.Ss; 64.70.Dv; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Crystal morphology; A2. Growth from melt; B1. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Process-induced transfer pattern in Si epitaxy using pocket susceptor

Keywords: 81.15.Gh; 81.05.Cy; 61.72.Bb; 62.20.Fe; A1. Defects; A1. Stresses; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconductor silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Bridgman growth of germanium crystals in a rotating magnetic field

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Fq; 47.65.+a; A1. Rotating magnetic field; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Determination of effective diffusion length and saturation current density in silicon solar cells

Keywords: 72.20.Jv; 85.60.Bt; 81.05.Cy; 84.60.Jt; Effective diffusion length; Saturation current density; Silicon solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Detached growth of germanium by directional solidification

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.Fq; A2. Bridgman technique; A3. Detached growth; B1. Germanium;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه