دانلود مقالات ISI درباره 81.10.fqa1. Computer Simulation + ترجمه فارسی

Analysis of local segregation of impurities at a silicon melt–crystal interface during crystal growth in transverse magnetic field-applied Czochralski method

Keywords: 07.05.Tp; 68.08.−p; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Interface shape control using localized heating during Bridgman growth

Keywords: 81.10.−h; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; B2. Bridgman technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Influence of thermal phenomena on crystal reattachment during dewetted Bridgman growth

Keywords: 07.05.Tp; 81.10.−h; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Numerical calculation of the drag force applied to particle pushing

Keywords: 47.11.Fg; 47.10.ad; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Interfaces; A1. Particles; A1. Solidification

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Use of numerical simulation for growing high-quality sapphire crystals by the Kyropoulos method

Keywords: 47.27.Te; 47.27.Eq; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Mass transfer; A2. Kyropoulos method; B1. Sapphire

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Simulation of dislocation density: Global modeling of bulk crystal growth by a quasi-steady approach of the Alexander–Haasen concept

Keywords: 61.72.Bb; 61.72.Lk; 61.82.Fk; 81.05.Ea; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Line defects; A2. Czochralski method; A2. Gradient freeze technique

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

The effect of the pressure on the static meniscus shape in the case of tube growth by edge-defined film-fed growth (E.F.G.) method

Keywords: 07.05.Tp; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Surfaces; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. Growth from the melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

3D computation of oxygen transport in Czochralski crystal growth of silicon considering evaporation

Keywords: 47.27.Te; 47.27.Eq; 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Large-eddy simulation; A1. Oxygen; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Development of a software for the numerical simulation of VCz growth under the influence of a traveling magnetic field

Keywords: 44.25.+f; 47.11.+j; 47.65.+a; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Magnetic field assisted Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of internal radiation on the solid–liquid interface shape in low and high thermal gradient Czochralski oxide growth

Keywords: 61.50.Ah; 68.45.−v; 44.40.+a; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Radiation; A1. Specular reflection; A2. Czochralski method; B1. Oxides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Strategies for the coupling of global and local crystal growth models

Keywords: 02.60.Cb; 02.70.−c; 81.10.−h; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Heat transfer; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Vertical optical floating zone furnace: Principles of irradiation profile formation

Keywords: 01.50.My; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Radiation; A2. Floating zone technique; A2. Mirror furnaces

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Large modification of crystal–melt interface shape during Si crystal growth by using electromagnetic Czochralski method (EMCZ)

Keywords: 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

On the effects of furnace gradients on interface shape during the growth of cadmium zinc telluride in EDG furnaces

Keywords: 81.05.Dz; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Interfaces; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Decreasing lateral segregation in cadmium zinc telluride via ampoule tilting during vertical Bridgman growth

Keywords: 81.05.Dz; 81.10.Aj; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; B1. Cadmium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه