کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795791 | 1023729 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of a software for the numerical simulation of VCz growth under the influence of a traveling magnetic field
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A software for the numerical simulation of crystal growth from the melt under the influence of a traveling magnetic field was developed by coupling a global stationary simulation of the temperature distribution and the electro-magnetic fields to a local transient simulation of the melt. Numerical results of the simulation of the vapor pressure controlled Czochralski (VCz) growth of GaAs are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 1, 1 May 2007, Pages 161–164
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 303, Issue 1, 1 May 2007, Pages 161–164
نویسندگان
Christiane Lechner, Olaf Klein, Pierre-Etienne Druet,