دانلود مقالات ISI درباره 81.15.hia3. Molecular Beam Epitaxy + ترجمه فارسی

GaN grown on (1 1 1) single crystal diamond substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: 68.35.bg; 68.55.A; 78.55.Cr; 81.05.Ea; 81.05.Uw; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Diamond; B1. Nitrides; B3. High power electronics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Comparison of structural and optical properties of GaSb/AlGaSb quantum well structures grown on different oriented Si substrates

Keywords: 68.37.Lp; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 78.67.De; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Antimonides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni(1 1 1) substrate

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy in a high-volume GaAs fab

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction bipolar transistors; B3. High electron mobility transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Gallium adlayer adsorption and desorption studies with real-time analysis by spectroscopic ellipsometry and RHEED on A-, M-, and C-plane GaN grown by PAMBE

Keywords: 68.55.Jk; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of GaSb/AlGaSb multi-quantum well structures on Si (0 0 1) substrates

Keywords: 68.55.−a; 68.65.−k; 68.65.Fg; 71.55.Eg; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Comparison of the growth behavior of γ-Al2O3 thin films grown on Si (1 1 1) by molecular beam epitaxy using N2O and O2

Keywords: 68.55.−a; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B1. γ-Al2O3; B2. Dielectric materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Polarization-induced two-dimensional electron gas at Zn1−xMgxO/ZnO heterointerface

Keywords: 73.61.Ga; 73.21.Fg; 77.22.Ej; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxides; B2. Piezoelectric materials; B2. Semiconducting II–VI materials; B2. Semiconducting ternary materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Difference of N concentrations in GaPN layers simultaneously grown on Si and GaP substrates

Keywords: 68.55; 78.55; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه