کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793426 | 1023676 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
GaN grown on (1 1 1) single crystal diamond substrate by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GaN epilayers are grown on (1 1 1) oriented single crystal diamond substrate by ammonia-source molecular beam epitaxy. Each step of the growth is monitored in situ by reflection high energy electron diffraction. It is found that a two-dimensional epitaxial wurtzite GaN film is obtained. The surface morphology is smooth: the rms roughness is as low as 1.3 nm for 2×2 μm2 scan. Photoluminescence measurements reveal pretty good optical properties. The GaN band edge is centred at 3.469 eV with a linewidth of 5 meV. These results demonstrate that GaN heteroepitaxially grown on diamond opens new rooms for high power electronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 21, 15 October 2009, Pages 4539–4542
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 21, 15 October 2009, Pages 4539–4542
نویسندگان
A. Dussaigne, M. Malinverni, D. Martin, A. Castiglia, N. Grandjean,