کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794542 | 1023701 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of GaSb/AlGaSb multi-quantum well structures on Si (0 0 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
GaSb/AlGaSb multi-quantum well (MQW) structures with an AlSb initiation layer and a relatively thick GaSb buffer layer grown on Si (0 0 1) substrates were prepared by molecular beam epitaxy (MBE). Transmission electron microscopy (TEM) images and high-resolution X-ray diffraction (XRD) patterns indicated definite MQW structures. The photoluminescence (PL) emission around 1.55 μm wavelength was observed for 10.34 nm GaSb/30 nm Al0.6Ga0.4Sb MQW structure at room temperature. Dependence of PL emission energy on GaSb well width was well explained by finite square well potential model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 1, 4 January 2008, Pages 78–82
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 1, 4 January 2008, Pages 78–82
نویسندگان
Hideyuki Toyota, Tomonori Sasaki, Yoshio Jinbo, Naotaka Uchitomi,