دانلود مقالات ISI درباره B1. Antimonide + ترجمه فارسی

Improvement in surface morphology of GaSb buffer layer by two-step high and low temperature growth

Keywords: A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films

Keywords: A3. Molecular beam epitaxy; A3. Superlattice; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 29 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

In-situ monitoring during MBE growth of InAs based heterostructures

Keywords: A3. Molecular beam epitaxy; B1. Arsenides; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Optical properties and bonding behaviors of InSbN alloys grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A1. Characterization; A2. Growth from vapor; A3. MOCVD; B1. Antimonide; B1. Dilute nitride; B2. Semiconducting III-V material;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth of InAs/GaSb type-II superlattices by gas-source molecular-beam epitaxy

Keywords: A3. Gas-source molecular-beam epitaxy; A3. Superlattices; B1. Antimonide; B3. Infrared photodetectors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth and characterization of GaSb/AlGaSb multi-quantum well structures on Si (0 0 1) substrates

Keywords: 68.55.−a; 68.65.−k; 68.65.Fg; 71.55.Eg; 81.05.Ea; 81.15.HiA3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III–V material

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Density of liquid GaSb measured by an improved Archimedean method

Keywords: 65.20.+wA1. Density; B1. Antimonide; B1. Gallium compound; B1. Melt; B1. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Observation of V-shaped defects in the growth of In0.8Al0.2Sb/InSb layers: Temperature and V/III flux ratio dependences

Keywords: 72.80.Ey; 68.37.Lp; 68.35.Ct; 61.72.Mm; And 61.72.Lk; A1. Defects; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Molecular beam epitaxy of (Ga,Al)AsSb alloys on InP(0 0 1) substrates

Keywords: 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 71.20.Nr; 68.35.Fx; A1. Interfaces; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonide; B2. Semiconductor III-V materials; B3. Infrared devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه