دانلود مقالات ISI درباره A1 پراکندگی رامان + ترجمه فارسی

Growth, vibrational and luminescence analysis of monoclinic KGd(1−x)Prx(WO4)2 (x=0.005, 0.02, 0.05) single crystals

Keywords: A1 پراکندگی رامان; A1. Raman scattering; A2. Top-seeded solution growth; B3. Solid state laser

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface characterization of AlGaN grown on Si (1 1 1) substrates

Keywords: A1 پراکندگی رامان; A1. Island nucleation; A1. Raman scattering; A3. Si (1 1 1) substrate; B1. AlGaN epilayers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

SIMS and Raman characterizations of ZnO:N thin films grown by MOCVD

Keywords: A1 پراکندگی رامان; A1. Annealing effects; A1. Nitrogen doping; A1. Raman scattering; A1. SIMS; A1. ZnO; A3. MOCVD; B1. Thin films

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The influences of O/Zn ratio and growth temperature on carbon impurity incorporation in ZnO grown by metal-organic chemical vapor deposition

Keywords: A1 پراکندگی رامان; A1. O/Zn ratio; A1. Carbon impurity incorporation; A1. Mass spectrometry; A1. Raman scattering; A3. MOCVD; B1. ZnO

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

X-ray diffraction and Raman scattering study of thermal-induced phase transformation in vertically aligned TiO2 nanocrystals grown on sapphire(1 0 0) via metal organic vapor deposition

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 61.05.Cp; 61.50.Ks; 78.30.−j; A1. X-ray diffraction; A1. Nanostructures; A1. Raman scattering; A3. Metal organic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B1. Oxides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Microstructures, electrical and optical characteristics of ZnO thin films by oxygen plasma-assisted pulsed laser deposition

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 81.15.Fg; 81.05.Dz; 68.55.−a; 72.20.−i; 87.64.Je; 78.55.−mA1. Crystal structure; A1. Electrical properties; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Pulsed laser deposition; B1. Zinc oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Deep ultraviolet emission of ZnO films prepared by RF magnetron sputtering at changing substrate temperature

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 78.55.Et; 78.66.Hf; 78.40.FyA1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A1. RF sputtering; B1. ZnO films

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Study of lattice properties of Ga1−x Mnx N epilayers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy by means of optical techniques

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 71.55.Eq; 71.70.Ch; 78.30.Fs; 75.50.Pp; A1. Characterization; A1. Impurities; A1. Raman scattering; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Perovskites; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optical phonon modes in ZnO nanorods on Si prepared by pulsed laser deposition

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 61.82.Rx; 62.60.+v; 78.30.−jA1. c-axis orientation; A1. Nanorods; A1. Raman scattering; A1. Surface phonon mode; A3. PLD; B2. Zinc oxide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Micro-Raman scattering study of InGaAs/(AlAs)/AlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 61.50.c; 78.20.e; A1. Raman scattering; A1. Plasmon-LO-phonon coupling; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. InGaAs/AlAsSb; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of the low-temperature buffer thickness on quality of InSb grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 61.10.−i; 68.55.−a; 78.30.−j; 78.55.Cr; 81.15.Hi; A1. Atomic force microscope; A1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Nucleation; A1. Raman scattering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(0 0 1) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 68.55.−a; 78.30.Fs; 78.55.Cr; 78.60.Hk; 81.15.Hi; A1. Cathodo-luminescence; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Gallium Nitride; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Depth-dependent optical properties of a HVPE-grown freestanding Si-doped GaN single crystal

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 68.55.L; 78.30.F; 68.60.B; A1. Cathodoluminescence; A1. Raman scattering; A3. Hydride vapor phase epitaxy; B1. GaN;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Temperature dependence of Raman scattering of ZnSe nanoparticle grown through vapor phase

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 60.10.−i; 61.16.−d; 78.30.−j; 78.55.−m; A1. Photoluminescence; A1. Raman scattering; A1. Temperature dependent; B1. Zinc compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of cubic InxGa1−xN epilayers on two different types of substrate

Keywords: A1 پراکندگی رامان; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 78.55.Cr; 78.66.Fd; 78.67.Hc; A1. Crystalline quality; A1. Raman scattering; A1. X-ray diffraction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه