دانلود مقالات ISI درباره A2. Metalorganic Chemical Vapor Deposition + ترجمه فارسی

Electrically conducting n-type AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitride; B2. Semiconductor III–V materials; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

An ultra-thin compliant sapphire membrane for the growth of less strained, less defective GaN

Keywords: A1. Defects; A1. Substrates; A1. Single crystal growth; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Solid phase epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Properties of GaN layers grown on N-face free-standing GaN substrates

Keywords: A1. Characterization; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B1. Semiconducting III–V materials; Hot-wall epitaxy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth and analysis of modulation-doped AlGaN/GaN heterostructure on semi-insulating SiC substrate

Keywords: A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. 6H–SiC; B1. Nitrides; B1. AlGaN/GaN heterostructure; B3. HFET

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of barrier growth schemes on the structural properties and thresholds of InGaN quantum well laser diodes

Keywords: A1. Interfaces; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum wells; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds; B3. Laser diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Growth and characterization of a-plane AlxGa1−xN alloys by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A2. AlGaN; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Non-polar; B2. Al composition

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Thermal stability of thin InGaN films on GaN

Keywords: A1. Decomposition; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nitrides; B3. Light-emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

The growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with AlN buffer layer

Keywords: A1. Characterization; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–VI materials; B2. Indium selenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Al0.17Ga0.83N film with middle temperature-intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD

Keywords: A1. Intermediate layer; A1. Middle temperature; A1. Low press; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A2. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Three dimensional growth; B1. Aluminum gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه