کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795932 | 1524485 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Al0.17Ga0.83N film with middle temperature-intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A technique to grow low-dislocation-density AlGaN films is presented in this paper. The Al0.17Ga0.83N films using middle temperature (MT)-intermediate layer technique grown by metalorganic chemical vapor deposition on c-plane patterned sapphire were confirmed. The AlGaN films have been investigated by means of X-ray diffraction, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy techniques. MT-intermediate layer technique can effectively reduce the dislocation density in the AlGaN films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 300-304
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 300-304
نویسندگان
Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Ken Kataoka, Shuichi Kawamichi, Tadashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai,