دانلود مقالات ISI درباره A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی + ترجمه فارسی

MOVPE growth and transport characterization of Bi2−xSbxTe3−ySey films

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Solid solutions; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Surfaces; interfaces and thin films; B1. Bi-Sb-Te-Se chalcogenides; B2. Topological insulators;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Te doping of GaAs and GaInP using diisopropyl telluride (DIPTe) for tunnel junction applications

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Semiconducting gallium arsenide; A1. Doping; B3. Multijunction solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Photoluminescence from GaN layers at high temperatures as a candidate for in situ monitoring in MOVPE

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Characterization; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B3. Light emitting diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Surface morphology of homoepitaxial c-plane GaN: Hillocks and ridges

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Line defects; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A2. Crystal morphology; A3. Characterization; B1. Nitrides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Formation and optical properties of multi-stack InGaAs quantum dots embedded in GaAs nanowires by selective metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconductor III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Unintentional Ga incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of In-containing III-nitride semiconductors

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Semiconducting III–V materials; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High resolution synchrotron X-ray studies of phase separation phenomena and the scaling law for the threading dislocation densities reduction in high quality AlGaN heterostructure

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Grazing incidence diffraction; A1. High resolution synchrotron X-ray diffraction; A1. Reciprocal space map; A1. Threading dislocation density; A1. Williamson-Hall plot; A2. AlGaN; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Analysis of thickness modulation in GaAs/GaAsP strained superlattice by TEM observation

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconductor devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Stability of hydrogen on nonpolar and semipolar nitride surfaces: Role of surface orientation

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Reflectance anisotropy spectroscopy assessment of the MOVPE nucleation of GaInP on germanium (1 0 0)

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Reflectance anisotropy spectroscopy; A1. Growth monitoring; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting germanium

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Recent achievements in AMMONO-bulk method

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A2. Growth from solutions; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Crystal morphology; A1. Nucleation; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; A3. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Strain-compensated GaInAs/AlInAs/InP quantum cascade laser materials

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Semiconducting III–V materials; B3. Heterojunction semiconducting devices; B3. Quantum cascade lasers

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Growth of Ga-doped ZnO by MOVPE using diisopropylzinc and tertiary butanol

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 78.55.Et; 81.15.Gh; 78.30.Fs; 73.61.Ga; A1. Characterization; A1. Doping; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II-VI materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Emissivity-correcting mid-infrared pyrometry for group-III nitride MOCVD temperature measurement and control

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 7.20.Ka; 81.15.Gh; 68.47.FgA2. Metalorganic chemical vapor deposition; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Pyrometry; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B1. Indium gallium nitride; B1. Gallium nitride; B1. Indium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Subsurface Fe-doped semi-insulating GaN templates for inhibition of regrowth interface pollution in AlGaN/GaN HEMT structures

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 61.72.−y; 73.40.Kp; 73.50.Dn; 73.61.Ey; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.05.Ea; 81.15.Gh.; 81.15.Hi; 85.30.TvA1. Fe doping; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; A2. Regrowth interface pollution; A3. Characterization; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. H

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Temperature effect study on structural and morphological properties of In.08Ga.92As/GaAs structures grown by MOVPE

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 81.15.Gh; 07.79.Lh; 61.10.Nz; 78.66.Fd; 78.40.FyA1. Crystal morphology; A1. Atomic force microscopy; A1. High-resolution X-ray diffraction; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

TEM analysis of an interface layer formed by the anti-surfactant treatment on a GaN template

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.KkA1. Defects; A1. Growth models; A1. Transmission electron microscopy; A2. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Al0.17Ga0.83N film with middle temperature-intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD

Keywords: A2 اپیتاکسی فاز بخار فلزی; A1. Intermediate layer; A1. Middle temperature; A1. Low press; A2. Metalorganic chemical vapor deposition; A2. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Three dimensional growth; B1. Aluminum gallium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه