دانلود مقالات ISI درباره A3. Hydride Vapor-Phase Epitaxy + ترجمه فارسی

Thick nonpolar m-plane and semipolar (101̅1̅) GaN on an ammonothermal seed by tri-halide vapor-phase epitaxy using GaCl3

Keywords: A1. Substrates; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effect of additional hydrochloric acid flow on the growth of non-polar a-plane GaN layers on r-plane sapphire by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: A1. Single crystal growth; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Influence of substrate polarity of (0 0 0 1) and (0 0 0 1¯)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN

Keywords: A1. Characterization; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting indium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of freestanding m-plane GaN wafer by using the HVPE technique on an aluminum carbide buffer layer on an m-plane sapphire substrate

Keywords: 06.60.Ei; 61.72.Hh; 61.72.Nn; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Substrates; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.Bk; 81.10.−h; 81.15.Kk; 78.55.−mA1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Mass transfer; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Role of chlorine in the dynamics of GaN(0 0 0 1) surface during HVPE GaN growth—Ab initio study

Keywords: 61.50.Ah; 81.10.AjA1. Surface processes; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of thick AlxGa1−xN ternary alloy by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: 61.10.Nz; 61.66.Dk; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Alloys; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Formation of large-area freestanding gallium nitride substrates by natural stress-induced separation of GaN and sapphire

Keywords: 81.05.Ea; 81.10.BkA1. Substrates; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

HVPE GaN growth on porous SiC with closed surface porosity

Keywords: 81.05.Ea; 61.72.Ff; 61.72.−yA1. Defects; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; A3. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates

Keywords: 61.10.Ht; 61.10.Nz; 68.37.Ps; 71.55.Eq; 81.05.Ea; 81.15.KkA1. Doping; A2. Growth from vapor; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Etching, Raman and PL study of thick HVPE-grown GaN

Keywords: A1. Etching; defects; characterization; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Gallium nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Growth of thick AlN layers by hydride vapor-phase epitaxy

Keywords: 61.10.Nz; 68.37.−d; 81.05.Ea; 81.15.Kk; A1. Crystal structure; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting aluminum compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth and characterization of single-crystalline gallium nitride using (1 0 0) LiAlO2 substrates

Keywords: 81.15.K; 81.05.C; 81.05.D; A1. Characterization; A1. Substrates; A3. Hydride vapor-phase epitaxy; B1. GaN; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه