کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830269 | 1524506 | 2005 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of single-crystalline gallium nitride using (1Â 0Â 0) LiAlO2 substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Self-separating single-crystalline gallium nitride films were grown by hydride-metalorganic vapor-phase epitaxy (H-MOVPE) on LiAlO2 (LAO) substrates. Nitridation of the LAO substrate leads to the reconstruction of the surface and to the formation of a thin layer of nitrided material. Free-standing films of 35-40 μm thick were grown by a succession of techniques using both MOVPE and hydride vapor-phase epitaxy (HVPE) growth steps. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary ion mass spectrometry (SIMS), and micro-Raman spectroscopy to investigate the effect of the initial MOVPE step.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 1â2, 15 January 2005, Pages 14-20
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 274, Issues 1â2, 15 January 2005, Pages 14-20
نویسندگان
M.D. Reed, O.M. Kryliouk, M.A. Mastro, T.J. Anderson,