دانلود مقالات ISI درباره A3 اپیتاکسی فاز مایع + ترجمه فارسی

Study of the metastable region in the growth of GaN using the Na flux method

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 61.72.Ef; 81.15.LmA1. Nucleation; A1. Crystal morphology; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitride; B1. Single crystal

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Study of the 3C-SiC nucleation from a liquid phase on a C face 6H-SiC substrate

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.10.DnA1. Atomic force microscopy; A1. Nucleation; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Silicon carbide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth of GaN single crystals with extremely low dislocation density by two-step dislocation reduction

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 61.72.Ef; 81.15.LmA1. Defects; A1. Morphological stability; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Growth from solutions; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Numerical study and experimental investigation of zone refining in ultra-high purification of gallium and its use in the growth of GaAs epitaxial layers

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.05.Bx; 81.05.Ea; 81.10.Fq; 81.15.Lm; 81.20.Ym; 82.20.WtA1. Purification; A1. Computer simulation; A2. Zone refining; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Gallium; B2. Gallium arsenide.

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On the influence of solution density on the formation of macroscopic defects in the liquid phase epitaxy of GaN

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 68.55.J; −81.05.Ea; 81.15.Lm; 82.65.DpA1. Surface morphology; A2. Growth from high temperature solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature and cooling rate on the growth of Si epitaxial layer by dropping-type liquid phase epitaxy from the pure Si melt

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.15. Lm; 68.55.JkA1. Crystal structure; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Metastable solvent epitaxy of SiC

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.30.Fb; 81.15.Lm; 81.05.Hd; A1. Phase diagrams; A2. Growth from solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Liquid phase epitaxial growth of lattice mismatched InSb, GaInAs and GaInAsSb on GaAs substrates using a quaternary melt

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.15.Lm; 81.05.Ea; A3. Buffer layers; A3. Lattice mismatch; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Energetic and kinetic aspects of the growth of pseudomorphic SiGe islands

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 68.65.Hb; 64.60.Qb; 68.35.Rh; A1. Nucleation; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Low-pressure solution growth (LPSG) of GaN templates with diameters up to 3 inch

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.05.Ea; 81.15.Lm; 82.65.DpA1. Surface morphology; A2. Growth from high temperature solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nitrides

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Control of ZnO nanorod array alignment synthesized via seeded solution growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.07.−b; 68.65.−k; 78.67.−n; 71.55.Gs; 81.15.LmA1. Crystal morphology; A1. Nanostructures; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–IV materials; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of strain on solid-liquid phase equilibrium in heteroepitaxy of SiGe/Si(0 0 1)

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 64.70.Dv; 81.05.Cy; 81.10.Dn; 81.15.Lm; 81.40.Jj; 82.60.Lf; A1. Phase equilibria; A1. Segregation; A1. Stresses; A1. Supersaturated solutions; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Germanium silicon alloys;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Synthesis of well-aligned ZnO nanorod arrays with high optical property via a low-temperature solution method

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.05.Hd; 81.16.Be; 78.67.LtA1. Characterization; A1. Nanostructure; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Nanomaterials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Numerical study for diffusion processes in dissolution and growth of CdxHg1-xTe/CdTeCdxHg1-xTe/CdTe heterostructures formed by LPE. Part II. Effect of programmed temperature changes

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; A1. Computer simulation; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The epitaxial lateral overgrowth of silicon by two-step liquid phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.15.Lm; 68.55.Jk; A3. Epitaxial lateral overgrowth; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Silicon thin films;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Solvothermal growth of ZnO

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 68.35.Dv; 68.55.Jk; 68.55.Nq; 71.55.Gs; 78.55.Et; 81.05.Dz; 81.15.Lm; 81.10.Dn; 81.20.WkA1. Solvents; A1. Substrates; A2. Hydrothermal crystal growth; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Zinc compounds; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 56 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Investigation of the “composition-pulling or lattice-latching” effect in LPE

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 73.61.Ey; 81.15.Lm; A1. Solidification; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of beta barium borate (β-BaB2O4) thin films on alpha barium borate (α-BaB2O4) substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.15.Lm; 81.15.Tv; 61.10.Nz; A1. Sr2+-doped α-BBO substrates; A3. β-BBO thin films; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Pulsed laser deposition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Regrowth mechanisms in flash lamp processing of heteroepitaxial SiC on silicon substrates

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 68.35.Fx; 81.15.Lm; A1. Crystal morphology; A1. Diffusion; A1. Interfaces; A1. Mass transfer; A3. Liquid phase epitaxy; B. Silicon carbide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ observation for semiconductor solution growth using a near-infrared microscope

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 44.25.+f; 87.50.Mn; 81.70.Fy; 68.55.Jk; 81.15.Lm; 81.05.Ea; A1. Convection; A1. Magnetic fields; A1. Optical microscopy; A1. Surface structure; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Sub-micron ferroelectric domain engineering in liquid phase epitaxy LiNbO3 by direct-write e-beam techniques

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 77.84.Dy; 85.40.Hp; 42.70.−a; 42.79.Dj; A1. E-beam; A1. Periodic poling; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Lithium compounds; B1. Niobates; B2. Ferroelectric materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Direct-write e-beam sub-micron domain engineering in liquid phase epitaxy (LPE) LiNbO3 thin films and single crystal LiNbO3

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 77.84.Dy; 85.40.Hp; 42.70.−a; 42.79.Dj; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Lithium compounds; B1. Niobates; B2. Ferroelectric materials; A1. E-beam; A1. Periodic poling;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Understanding of crystal growth mechanisms through experimental studies of semiconductor epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; A1. Nucleation; A1. Reflection high energy electron diffraction; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective epitaxy; B1. Semiconductor gallium compound;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

High-temperature conductivity in chemical bath deposited copper selenide thin films

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.5.Ln; 68.55.−a; 68.55.−Nq; 74.25.Gz; 73.50.−h; A1. Characterization; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modelling of flash-lamp-induced crystallization of amorphous silicon thin films on glass

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.10.−h; 81.05.Gc; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Recrystallization; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Dislocation-free large area InP ELO layers by liquid phase epitaxy

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 81.15.Lm; A1. Crystal morphology; A1. Morphological stability; A1. Surface processes; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Phosphides; B2. Semiconducting indium compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Numerical simulation of liquid phase electro-epitaxial selective area growth

Keywords: A3 اپیتاکسی فاز مایع; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.15.Aa; 81.15.Lm; A1. Computer simulation; A1. Crystal Morphology; A1. Growth models; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه