دانلود مقالات ISI درباره A3. Quantum Well + ترجمه فارسی

Intersubband absorption in ZnO/ZnMgO quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on c-plane sapphire substrates

Keywords: A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum well; B1. Oxides; B2. Semiconducting II-VI materials; B3. Heterojunction semiconductor devices;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Growth variations and scattering mechanisms in metamorphic In0.75Ga0.25As/In0.75 Al0.25As quantum wells grown by molecular beam epitaxy

Keywords: A1. Electron transport; A1. Scattering mechanisms; A1. Atomic force microscope; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum well; B2. In0.75Ga0.25As;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Transport properties of InSb and InAs0.1Sb0.9 thin films sandwiched between Al0.1In0.9Sb layers grown by molecular beam epitaxy

Keywords: 73.61.Ey; 73.63.Hs; 81.16.HiA1. Hetero-interface; A1. Low dimensional structure; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum well; B2. Semiconduction III–V materials; B2. Semiconduction indium compounds; B2. Semiconduction ternary compounds

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Temperature effect on the growth of strained GaAs1−ySby/GaAs (y>0.4) quantum wells by MOVPE

Keywords: 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A1. Photoluminescence; A1. X-ray diffraction; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improving photoluminescence of highly strained 1.32 μm GaAsSb/GaAs multiple quantum wells grown on misorientation substrate

Keywords: 81.15.Gh; 68.65.Fg; 78.55.Cr; 61.10.Nz; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Antimonides; B2. Semiconducting ternary compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Structure and optical properties of ZnO/ZnMgO multi-quantum wells grown on Si(111) substrates

Keywords: A3. Quantum well; A3. Pulsed laser deposition; B1. ZnMgO; B2. Semiconducting II–VI materials

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells

Keywords: 39.25.+k; 78.55.Cr; 68.55.Eg; 73.60.Br; A1. Atomic force microscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum well;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Optical investigations on the surfactant effects of Sb on InGaAsN multiple quantum wells grown by MOVPE

Keywords: A1. Photoluminescence; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. InGaAsN; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth and characterisation of semi-polar (1l2¯2) InGaN/GaN MQW structures

Keywords: 61.72.Dd; 68.37.Lp; 68.65.Fg; 78.66.Fd; 78.67.De; 78.70.Dm; 81.05.Ea; 81.15.GhA1. High-resolution X-ray diffraction; A1. Photoluminescence; A3. Organometallic vapour-phase epitaxy; A3. Quantum well; B1. Nitride

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Highly efficient InGaAs QW vertical external cavity surface emitting lasers emitting at 1060 nm

Keywords: 78.67.De; 42.60.Pk; 72.15.Eb; 68.60.BsA1. Photoluminescence; A3. MOVPE; A3. Quantum well; A3. VECSEL; B1. Diamond strain

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Characterization of MOVPE-grown GaInNAs quantum well with multi-barriers by Z-contrast imaging and SIMS

Keywords: 61.10.−i; 68.55.+b; 78.55.Cr; A1. Photoluminescence; A2. MOVPE; A3. Quantum well; B1. GaInNAs; B1. GaNAs; B1. InGaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Mechanism of photoluminescence blue shift in InGaAsN/GaAs quantum wells during annealing

Keywords: 78.55.Et; 81.15.Hi; 68.65.fg; 66.30.Ny; 61.43.−j; A1. Inter-diffusion; A1. Short-range ordered; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum well; B1. Dilute nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

MOVPE growth optimization for optically efficient GaInNAs quantum well structure

Keywords: 61.10.−i; 68.55.+b; 78.55.Cr; A1. Photoluminescence; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Quantum well; B1. GaInNAs; B1. InGaAs; B1. GaNAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه