دانلود مقالات ISI درباره B1. Indium Arsenide + ترجمه فارسی

Heterointerface study of InAs/GaSb nanoridge heterostructures grown by metal organic chemical vapor deposition on V-grooved Si (0 0 1) substrates

Keywords: A1. Heteroepitaxy; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Indium arsenide; B1. Gallium antimonide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate

Keywords: A1. Atomic force microscopy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Indium arsenide; B3. Resonant interband tunneling diodes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (1 1 1)

Keywords: A1. Nucleation; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Indium arsenide; B1. Gallium antimonide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: 81.05.Ea; 85.30.Vw; 81.15.GhA1. Photoluminescence; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Indium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MBE growth of In(Ga)As quantum dots for entangled light emission

Keywords: A1. Photoluminescence; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Gallium arsenide; B1. Indium arsenide; B3. Entangled photon emitters; 03.67.Bg; 73.21.La; 78.55.Cr; 78.67.Hc; 81.07.Ta; 81.15.Hi;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Growth mechanisms and optical properties of GaAs-based semiconductor microstructures by selective area epitaxy

Keywords: 61.46.Hk; 78.55.Cr; 81.15.HiA1. Growth model; A1. Nanowires; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Selective area epitaxy; B1. Aluminium arsenide; B1. Indium arsenide; B1. Nanocolumns; B2. Semiconducting gallium arsenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (1 0 0) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties

Keywords: 81.05.Ea; 85.30.Vw; 81.15.Gh; A1. Bimodal size distribution; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Indium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The thickness dependence of InAs sandwiched by GaAlAsSb layers grown by MBE

Keywords: 73.63.Hs; 81.15.Hi; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; B1. Indium arsenide; B1. Antimonides;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comparative study of InAs quantum dots grown on different GaAs substrates by MOCVD

Keywords: 81.05.Ea; 78.67.Hc; 68.55.Jk; A1. Bimodal size distribution; A1. Low-dimensional structures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; A3. Self-assembled quantum dots; B1. Indium arsenide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه